載德
產(chǎn)品

產(chǎn)品分類(lèi)

PRODUCT CATEGORIES

聯(lián)系我們

CONTACT US
電話(huà):021-65342985
郵箱:info@cross-tech.com.cn
地址:上海楊浦區松花江路251弄白玉蘭環(huán)保廣場(chǎng)7號樓602室

 

瀏覽量:
1000

產(chǎn)品名稱(chēng):
原子層沉積系統

產(chǎn)品概要: 美國埃米Angstrom Dep III原子層沉積系統,包括:傳統的熱原子層沉積系統(TALD)、等離子增強原子層沉積系統(PEALD)、粉末樣品的原子層沉積系統(Power-ALD)。
零售價(jià)
0.0
市場(chǎng)價(jià)
0.0
瀏覽量:
1000
產(chǎn)品編號
45
數量
-
+
庫存:
0
所屬分類(lèi)
返回列表
1
產(chǎn)品展示
參數

美國埃米Angstrom Dep III原子層沉積系統,包括:傳統的熱原子層沉積系統(TALD)、等離子增強原子層沉積系統(PEALD)、粉末樣品的原子層沉積系統(Power-ALD)。
 
儀器簡(jiǎn)介:
原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD),也稱(chēng)為原子層外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),或原子層化學(xué)氣相沉積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,ALCVD)。
原子層沉積是在一個(gè)加熱反應的襯底上連續引入至少兩種氣相前驅體源,化學(xué)吸附至表面飽和時(shí)自動(dòng)終止,適當的過(guò)程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個(gè)基本的原子層沉積循環(huán)包括四個(gè)步驟:脈沖A,清洗A,脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度,是制作納米結構從而形成納米器件極佳的工具。
ALD的優(yōu)點(diǎn)包括:
1. 可以通過(guò)控制反應周期數精確控制薄膜的厚度,從而達到原子層厚度精度的薄膜;
2. 由于前驅體是飽和化學(xué)吸附,保證生成大面積均勻性的薄膜;
3. 可生成極好的三維保形性化學(xué)計量薄膜,作為臺階覆蓋和納米孔材料的涂層;
4. 可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物;
5. 薄膜生長(cháng)可在低溫下進(jìn)行(室溫到400度以下);
6. 可廣泛適用于各種形狀的襯底;
7. 原子層沉積生長(cháng)的金屬氧化物薄膜可用于柵極電介質(zhì)、電致發(fā)光顯示器絕緣體、電容器電介質(zhì)和MEMS器件,生長(cháng)的金屬氮化物薄膜適合于擴散勢壘。


 
技術(shù)參數:
基片尺寸:4英寸、6英寸、8英寸、12英寸;
加熱溫度:25℃—400℃(可選配更高);
均勻性: < 1%;
前驅體數:4路(可選配6路);
兼容性: 可兼容100級超凈室;
尺寸:950mm x 700mm;
ALD,PE-ALD,粉末ALD技術(shù);


 
原子層沉積ALD的應用包括:
1) High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3);
2) 導電門(mén)電極 (Ir, Pt, Ru, TiN);
3) 金屬互聯(lián)結構 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir);
4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5);
5) 納米結構 (All ALD Material);
6) 生物醫學(xué)涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);
7) ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);
8) 壓電層 (ZnO, AlN, ZnS);
9) 透明電學(xué)導體 (ZnO:Al, ITO);
10) 紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);
11) OLED鈍化層 (Al2O3);
12) 光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13) 防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);
14) 電致發(fā)光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15) 工藝層如蝕刻柵欄、離子擴散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);
16) 光學(xué)應用如太陽(yáng)能電池、激光器、光學(xué)涂層、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17) 傳感器 (SnO2, Ta2O5);
18) 磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2);


 
目前可以沉積的材料包括:
1) 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2) 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3) 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4) 金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5) 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6) 復合結構材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7) 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

 

參考用戶(hù):
北京大學(xué)、復旦大學(xué)、哈工大、南方科技大學(xué)、電子科技大學(xué)、上海大學(xué)、上海理工大學(xué)、湖南大學(xué)、河南大學(xué)、華僑大學(xué)、中科院大連化物所、中科院化學(xué)所、中科院長(cháng)春應化所等。

關(guān)鍵詞:
原子層沉積;原子層沉積系統;ALD;
掃二維碼用手機看
未找到相應參數組,請于后臺屬性模板中添加
上一個(gè)

相關(guān)產(chǎn)品

上一頁(yè)
1

相關(guān)文件

暫時(shí)沒(méi)有內容信息顯示
請先在網(wǎng)站后臺添加數據記錄。

載德

總機:021-65342985  客服熱線(xiàn):021-65342985
周一至周日 8:00-20:30

地址:上海楊浦區松花江路251弄白玉蘭環(huán)保廣場(chǎng)7號樓602室

郵箱:info@cross-tech.com.cn   滬ICP備2020028701號-1

Copyright ? 2020 載德半導體   網(wǎng)站建設:中企動(dòng)力  上海

二維碼

   手機端

二維碼
返回頂部
搜索
搜索

在線(xiàn)詢(xún)價(jià)

產(chǎn)品信息

產(chǎn)品編號
縮略圖
產(chǎn)品名稱(chēng)
零售價(jià)
期望單價(jià)
* 預購數量
操作
產(chǎn)品編號: 45
$formItem.imageUrl
原子層沉積系統
零售價(jià): 0.0
* 期望單價(jià)
* 預購數量
-+
移除

聯(lián)系信息

基本信息
聯(lián)系方式與職位
企業(yè)信息
Verification Code

添加產(chǎn)品 X

產(chǎn)品分類(lèi):
全部產(chǎn)品
已選 0 個(gè)