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光學(xué)薄膜測厚儀
薄膜表面或界面的反射光會(huì )與從基底的反射光相干涉,干涉的發(fā)生與膜厚及折光系數等有關(guān),因此可通過(guò)計算得到薄膜的厚度。光干涉法是一種無(wú)損、精確且快速的光學(xué)薄膜厚度測量技術(shù),我們的薄膜測量系統采用光干涉原理測量薄膜厚度。 該產(chǎn)品是一款價(jià)格適中、功能強大的膜厚測量?jì)x器。近幾年,每年的全球銷(xiāo)售量都超過(guò)200臺。根據型號不同,測量范圍可以從10nm到250um,它最高可以同時(shí)測量4個(gè)膜層中的3個(gè)膜層厚度(其中一層為基底材料)。該產(chǎn)品可應用于在線(xiàn)膜厚測量,測氧化物、SiNx、感光保護膜和半導體膜,也可以用來(lái)測量鍍在鋼、鋁、銅、陶瓷和塑料等上的粗糙膜層。
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掃描開(kāi)爾文探針
開(kāi)爾文探針(Kelvin Probe)是一種非接觸無(wú)損震蕩電容裝置,用于測量導體材料的功函數(Work Function)或半導體、絕緣表面的表面勢(Surface Potential)。材料表面的功函數通常由最上層的1-3層原子或分子決定,所以開(kāi)爾文探針是一種最靈敏的表面分析技術(shù)。主要型號:KP020 (單點(diǎn)開(kāi)爾文探針),SKP5050(掃描開(kāi)爾文探針)。
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WEP CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測量?jì)x
德國WEP公司的CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測試儀可高效、準確的測量半導體材料(結構,層)中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過(guò)程由軟件全自動(dòng)控制。 電化學(xué)ECV剖面濃度測試儀主要用于半導體材料的研究及開(kāi)發(fā),其原理是使用電化學(xué)電容-電壓法來(lái)測量半導體材料的摻雜濃度分布。電化學(xué)ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發(fā)展半導體光-電化學(xué)濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測量?jì)x適用于評估和控制在半導體生產(chǎn)中的外延過(guò)程并且以被使用在多種不同的材料上,例如:硅、鍺、III-V族化合物半導體(如GaN)。
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